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    氮化铝厚膜晶片 苏州纳维

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-其它材料-其它

    产品品牌

    苏州纳维

    库       存:

    1000

    产       地:

    中国-江苏省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    客服电话:4001027270

    品牌:苏州纳维

    型号:

    所属系列:半导体原材料-其它材料-其它

            氮化铝厚膜晶片


    氮化铝厚膜晶片

     

    性能参数 (Specifications):

     

    产品型号 (Item)
    AlN-T-C-C50
    尺寸 (Dimensions)
    Ф 50.8 mm ± 0.1 mm
    衬底 (Substrate)
    Sapphire (Single Side Polished)
    厚度 (Thickness)
    4 ~ 5 µm
    晶体取向 (Orientation)
    C-plane (0001) ± 1°
    导电类型
    (Conduction Type)
    Semi-Insulating
    晶体质量
    (Crystalline quality)
    XRD FWHM of (0002) < 350 arcsec.
    XRD FWHM of (10-12) < 450 arcsec
    边缘排除区
    (Edge Exclusion zone)
    < 2 mm
    表面粗糙度
    (Surface Roughness)
    Ra < 5 nm (10 µm x 10 µm)
    包装 (Package)
    Packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25pcs or single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
    * Other thickness, size can be customized

     

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