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    碳化硅(SiC)晶体基片 合肥科晶

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-晶片—衬底类-碳化硅

    产品品牌

    合肥科晶

    库       存:

    1000

    产       地:

    中国-安徽省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    客服电话:4001027270

    品牌:合肥科晶

    型号:

    所属系列:半导体原材料-晶片—衬底类-碳化硅

    碳化硅(SiC)晶体基片 合肥科晶

    产品名称:

    碳化硅(SiC)晶体基片

    技术参数:

    晶胞结构

     六方

    晶格常数

     a =3.08 Å      c = 15.08 Å

    排列次序

     ABCACB  (6H)

    生长方法

     MOCVD

    方向

     生长轴或偏(0001) 3.5°

    抛光

     Si面抛光

    带隙

     2.93 eV (间接)

    导电类型

     N

    电阻率

     0.076 ohm-cm

    介电常数

     e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

    热导率@300K

     5 W / cm . K

    硬度

     9.2 Mohs

     

    产品规格:

    掺杂类型:6H N型 <0001> 表示专门掺N的掺杂浓度10E18-10E194H N型半绝缘
    常规尺寸:dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm, 10x10mm,10x5mm

    抛光情况:单抛或双抛

    表面粗糙度:Ra<10A

    常规晶向 :<0001>现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,单抛 一种低电阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一种是高电阻率(>10^5 ohm.cm)

     

    标准包装:

    1000级超净室100级超净袋包装或单片盒、插盒装



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