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    BG-406系列曝光机(光刻机)

    应用于半导体行业:

    半导体加工设备-光刻设备-UV光刻机

    库       存:

    6

    产       地:

    中国

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-光刻设备-UV光刻机

     BG-406系列曝光机(光刻机)主要用于中小规模集成电路、二极管、三极管、LED、电力电子器件、MEMS和其它半导体器件制造工艺中的对准及曝光。该系列曝光机由4英寸、6英寸单/双面曝光机组成,可实现单/双面对准、单面曝光、间隙曝光、全曝光。





    主要技术特点
    对准工作台 
    对准精度高,漂移小。精密楔形误差补偿机构实现三点找平,找平力小,延长掩模版使用寿命。
    曝光系统 
    采用柱体蝇眼透镜和高能力集光的椭球镜等精密光学件,具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。
    分离视场显微镜
    在X、Y方向通过操作杆可实现大范围扫描观察,可进行单视场或双视场切换,提高对准效率和套刻精度,同时兼容CCD成像液晶显示功能。
    控制系统
    电气控制采用工控机,人机界面操作菜单清晰,操作方便,汞灯电源易于触发,可靠性高。该设备的关键件采用进口或专业厂家制造,提高了设备的稳定性、可靠性,同时提供个性化服务。
    □对准工作台行程:
     X向:±5mm Y向:±5mm
     Z向:8mm θ向:±5°
    □掩模尺寸:7″×7″
    □基片尺寸:φ6″
    □曝光方式:软接触、硬接触
     真空接触、间隙曝光、全曝光
    □顶部对准显微镜
     总倍率:
     100X (50X可选)
     扫描范围:50mm×50mm
     调焦范围:8mm
     28-90mm(φ4″基片)
     75-150mm(φ4″-φ6″基片)
     对准精度:±0.5um
    □底部对准显微镜
     总倍率:330X
     物镜分离距离:
     X向:50-140mm
     Y向:±12mm
     对准精度:±2um
    □曝光分辨率:1um (真空接触)
    □曝光间隙: 1-500um
    □曝光面积: φ160 mm或φ108 mm
    □曝光时间:0-999s 连续可调
    □曝光不均匀性:
     ±5% (曝光面积:φ160 mm)
     ±3% (曝光面积:φ108mm)
    □曝光系统及波长
     采用250W进口超高压汞灯,UV365
    □所需设施:
     输入电压:~220v±22v(50Hz)
     整机功率:1KW
     室内光线:红光、黄光
     压缩空气: 0.5~0.7MPa
     氮气: 0.2~0.4MPa
     真空: -0.08~-0.14MPa
    □体积及重量:
     外型尺寸: 1022mm×850mm×1330mm
     重量:350kg

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    提问:
     

    氮气罐是多少升的?需要外接吗?

    wole  2017-07-28

    设备接入氮气有两个作用,一个是为汞灯冷却,一个是使用真空复印功能时破坏真空。使用氮气的是因为其纯净度高,对汞灯和光路具有很好的保护作用。对于高校、研究机构,设备使用不是非常频繁时,也可使用压缩空气,但压缩空气需要过滤后使用。

    希望可以帮到您!

    2017-08-22

    基片的尺寸范围多大?分辨率、对准精度多高?

    sjfh  2017-08-14

    适用基片尺寸最大6英寸,兼容4英寸及5英寸;

    顶部对准显微镜最大对准精度可达±0.5um;底部对准显微镜
    最大对准精度可达± 2 um;

    采用真空复印方式,最大分辨率可达1um


    2017-08-22

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