LPCVD是用加热的方式，在低压条件下，使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si,Si3N4, SiO2, 磷硅玻璃，硼磷硅玻璃，非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路，电力电子，光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
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工作温度：350-1000
恒温长度及精度：760mm
温度梯度：0-30度可调
系统极限真空度：0.8Pa
工作压力范围：30PA-133PA可调
淀积膜种类：Si3N4 片内, 片间，批间<+-3%
淀积膜均匀性：Poiy-Si 片内, 片间，批间<+-3%
淀积膜均匀性：SiO2片内<+-3%
装箱清单
LPCVD是用加热的方式，在低压条件下，使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si,Si3N4, SiO2, 磷硅玻璃，硼磷硅玻璃，非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路，电力电子，光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
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