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    LPCVD用于4/8英寸多晶硅,氮化硅,氧化硅(或LTO),SIPO薄膜生长工艺

    应用于半导体行业:

    半导体加工设备-镀膜设备-LPCVD

    产品品牌

    青岛精诚华旗

    规格型号:

    LPCVD

    库       存:

    100

    产       地:

    中国-山东省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    10000.00
    交易保障 担保交易 网银支付

    客服电话:4001027270

    品牌:青岛精诚华旗

    型号:LPCVD

    所属系列:半导体加工设备-镀膜设备-LPCVD

    LPCVD产品应用:用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅(或LTO)、SIPOS薄膜生长工艺及其掺杂(如PSG或BPSG等)

    产品名称: LPCVD系列    LPCVD系列 name=
    应用领域:半导体
    关 键 字:LPCVD
    产品咨询电话:4008-110044
    产品详细描述:
    LPCVD产品应用:用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅(或LTO)、SIPOS薄膜生长工艺及其掺杂(如PSG或BPSG等)
    LPCVD产品特点
    ◆工业计算机控制系统,对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
    ◆采用悬臂送片器,操作方便、无摩擦污染等
    ◆关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
    ◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染(管路均采用EP级电抛光管),流量控制采用进口质量流量计(MFC)
    ◆工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和可靠性
    ◆控温精度高,温区控温稳定性好
    ◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
    ◆高质量的加热炉体,确保恒温区的高稳定性及长寿命
    LPCVD主要技术指标:
    ◆工作温度:300~1000℃
    ◆适应硅片尺寸:2~6英寸
    ◆装片数量:30~100片/管
    ◆工艺管数量:1~3管(可选择)
    ◆恒温区长度: 800mm±1℃(热壁式,可形成温度梯度)
    ◆极限真空度: 8.0× 10 -1 Pa(约6.0× 10 -3Torr)
    ◆工作真空度: 10 ~ 1000Pa可调
    ◆淀积膜均匀性:片内≤±1%
    ◆控制系统:整机控制系统采用工业控制计算机(WINDOWS 系统界面,操作方便简洁)
    ◆气源系统:进口阀管件、自动轨道焊接
    欢迎索取相应详尽的技术资料及共研相应项目的解决方案。

    青岛精诚华旗微电子设备有限公司(青岛华旗科技有限公司,建于1993年),为专业半导体工艺设备及先进材料专用设备研发制造厂家。致力于为半导体集成IC电路分立器件、MEMS、太阳能电池、半导体照明LED及磁性材料厂家提供先进的专用设备,工艺涵盖化合物半导体晶体生长(及提纯、合成等)、外延、薄膜淀积(氮化硅、氧化硅、多晶硅等)、氧化扩散(包括退火合金含工艺及快速退火工艺等)、真空烧结等工艺。半导体工艺设备覆盖三代半导体材料--硅、砷化镓、氮化镓等,高性能磁性材料真空设备(钐钴、钕铁硼等)。同时承担了部分国家863项目(如半导体白光照明GaN生长的HVPE设备等)及相关的国家重点项目等。
        青岛精诚华旗(“华旗科技”)拥有十几年的专业研发制造经验,产品服务广泛应用于行业内的大专院校科研院所、半导体制造、高性能磁性材料制造的企业工厂等。
         青岛精诚华旗(“华旗科技”)拥有精良的科研、设计、制造、服务团队,为中国电子专用设备协会、中国磁性材料与器件协会等多家协会会员单位,承接并出色完成了一系列国家重点项目的专用设备的设计制造。
        2006年通过GB/T19001-2008(ISO9001:2008)质量管理体系认证。

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    请问一下,你们做实验室用的型号吗?小量的。

    hjool  2017-07-24

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