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    等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD) 沈阳金研

    应用于半导体行业:

    半导体加工设备-镀膜设备-PECVD

    库       存:

    1000

    产       地:

    中国-辽宁省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-镀膜设备-PECVD

    等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD) 沈阳金研

    1、 设备用途:本设备采用等离子体增强在化学气相沉积工艺,在光学玻璃等沉底材料上沉积半导体薄膜材料,制备非晶硅和微晶硅半导体薄膜器件,可用于氧化硅、氮化硅、碳化硅及类金刚石碳的沉积。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

    2.技术数据:
    样品最大尺寸 Dn150mm 样片加热台加热温度 室温-800℃
    极限真空度(分子泵系统) 6.7×10-5Pa(冷态) 压升率 ≤0.33Pa/H
    PECVD镀膜电源功率 500W-1000W PECVD镀膜室气路 三路
    引出束斑直径 Φ100mm 平均束流强度 10mA
    单电荷离子能量 20~100Kev    
    2.1PECVD镀膜电源射频电源
    2.2离子注入源金属离子注入源:离子种类:金属和导电材料、碳等;
    2.3操作方式采用远控进行注入工艺;
    2.4防护离子注入室侧面设有铅屏蔽及不锈钢装饰层;采用铅玻璃观察窗;
    2.5真空室材质双层水冷,不锈钢

    3.技术规格:JPEC/n-xxx N=1/2/3 真空室数量 xxx 沉积室内径

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