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1、 设备用途：本设备为双室立式结构的超高真空对靶磁控溅射及离子束溅射镀膜系统。设备用于各种金属薄膜、半导体薄膜、介质薄膜、超晶格薄膜、集成光学薄膜、多层薄膜和薄膜器件的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
2.技术数据：
| 极限真空度 （分子泵系统） |
样品室 | ≤ 2.0×10-1Pa | 漏气率 | ≦ 5.0×10-8 Pa•L/s |
| 溅射室 | ≤ 8.0×10-5Pa | |||
| 设备支持的溅射模式 | 直流溅射/射频溅射；直流及射频反应溅射；单靶溅射/多靶共溅射 | 溅射不均匀性 | ≤±5% | |
标准磁场磁控溅射靶3只
聚焦模式上置安装，自上向下溅射成膜
每只靶均带有可自动开闭的挡板
2.2设备支持的溅射模式包括：
直流溅射/射频溅射
直流及射频反应溅射
单靶溅射/多靶共溅射
2.3复合分子泵和离子溅射泵真空系统
2.4美国AE公司射频电源及自动匹配器
2.5质量流量控制器（Ar量程100sccm，O2量程30sccm）
2.6样品台自转，转速5～30rpm范围内可调
2.7样品加热温度PID控制，自动测温、控温，多段控温模式。
2.8采用PLC+工控机结合上位机软件对系统进行控制。
2.9膜厚仪可选
3.技术规格： JS-PVD-1 ；JS-PVD-2
