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DaLI高分辨无掩膜纳米光刻机

＊桌面化的小型设备

＊光学直写定位精度优于1nm

＊特征结构间隙可达100nm

＊可用于非平表面加工

＊自带温度控制保证高精确度

＊ 用户友好的全自动软件控制

＊系统性能稳定，零维护

主要特点

最小特征结构可小达1μm

对I-line光刻胶进行优化（SU-8，AZ，……）

超快不超高精度定位，定位分辨率＜1nm

适用于从CAD设计到各种结构的快捷构建

用户友好的单应用界面

具备自劢对焦机制不离焦直写模式

内建显微镜可用于样品定位

具备非平表面直写能力

可构建高深宽比结构（可达10:1）

独有的光斑间距调节功能以获得超高平滑度的结构

从图案到结构的快速构建

适用领域

电子电路模板制作	微流控芯片制作	微纳器件加工
光学微透镜制作	原型机设计	构建特殊结构

与常规激光直写设备采用位移台进行直写不同，DaLI采用AOD进行激光束的偏转来实现目标图形的构建。由于AOD对激光束的定位精度极高（优于0.1nm），因此DaLI在构建目标图形时的精细程度主要受限于光刻胶的性能，通过选择合适的正胶或者负胶，可以大大突破常规激光直写设备的工作极限，获得亚微米级，甚至百纳米级的精细结构。

DaLI结构简图

xy双向AOD共同定位.png

AOD在DaLI 中的作用

——控制光束偏转
——曝光强度控制
——快速切换曝光位置，而不必移劢任何部件
——提供纳米级定位精度
——平滑的结构边缘（可达nm尺度）

AOD（声光偏转器）可控制直写光斑在焦平面上以0.1nm的步长移动，使得DaLI可以获得更加平滑、陡直的边缘结构和更小的特征结构间隙。

DaLI对AOD的技术优化

　　通过AOD控制曝光量时，AOD对于控制信号的响应是非线性的。通过与门的控制优化设计，DaLI可以使AOD的输出线性度高达99%以上。

　　激光束入射角度的偏转会导致曝光光强的变化（可高达30%），这对于建立精细结构是非常不利的。AOD同样存在这个问题。因此Aresis在DaLI中增加了field flatten的功能，可以使得激光在ADO的整个工作区域内扫描时的光强保持不变，从而实现对曝光剂量的准确控制。

AOD输出线性度优于99%

AOD扫描光场均一度优于99%

AOD定位分辨率优于0.1nm带来的技术优势

两种尺寸直写工具随意切换

A. 任意平滑、锐利的结构边缘

不同点距获得的结构平滑度差异

小光斑直写工具用于对精度要求较高的图形构建

光斑直径1μm；Relay length 2μm　

1微米直写工具可获得的最小孔洞（0.9微米）

大光斑直写工具适用于大面积高速直写

光斑直径3μm；Relay length 20μm

陡直平滑的边缘不更好的深宽比（优于10:1）

B. 可高分辨调整的结构间距

150nm结构间隙

C. 亚微米级精细结构的构建

约100纳米宽的精细结构

工作范围与曝光拼接

准确的图形结构

大光斑直写工具单个工作区域为900 μm X 900 μm

小光斑直写工具单个工作区域为300 μm X 300 μm

工作区域100mm X 100mm

DaLI的软拼接可以将曝光扫描线延伸到临近区域，并梯度降低激光强度（红线）。在临近区域，激光强度梯度增加（蓝线），从而获得干净均一的拼接图案

工作区域间的平滑过渡机制（软拼接与硬拼接）

应变仪实刻结构

应变仪设计图

基材尺寸	可达100 mm x 100 mm (4’’ x 4’’)
激光波长	375 nm
激光光斑尺寸 (TEM00)	1 µm (0.04 Mil) and/或 3 µm (0.12 Mil), 用户可自选
激光光斑定位分辨率	< 1 nm
激光直写速度	可至100 000 spots per second
图形尺寸	可至 1 µm (0.04 Mil)
数据输入格式	DXF, Gerber, BMP
电源	230 V/50 Hz, 100 VA
设备尺寸 (W x H x D)	650 mm x 522 mm x 626 mm (25.6” x 20.6” x 24.6”)
重量	80 kg (176.4 lbs)
集成摄像头	用于样品检测和校正摄像头
硬件和软件的要求配置	Windows 7, 32 bit or Windows XP, 32 bit with service pack 3,1.3 GHz processor or higher, 2 GB RAM (4 GB recommended), 160 MB of available hard-disk space for installtion， screen resolution min.1024*768 pixles (1600 x 1050 recommended)