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    冷壁CVD生长设备

    应用于半导体行业:

    半导体加工设备-镀膜设备

    库       存:

    10000

    产       地:

    中国-江苏省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-镀膜设备

     

    冷壁CVD生长设备是常州国成新材料科技有限公司针对现有石英管式炉CVD生长设备功耗大、控制性差、产量低等缺点开发出来的一款新型CVD生长设备。该设备不仅可以用于石墨烯生长,还可六角氮化硼等二维材料薄膜、MBE薄膜及复合薄膜生长。  
    亮点:  
    ☆背景气压低,杂质气体干扰少。  
    ☆参数控制性好,实验重现性高。  
    ☆可扩展性强,可以定制原位金属电极蒸镀参杂等功能。  
    ☆能耗低。  
    ☆产量高,适用于工业化生产(大型冷壁CVD)。  
    技术参数:  

      小型冷壁CVD 中型冷壁CVD 大型冷壁CVD
    本底真空 5 x 10-7 mbar 5 x 10-7 mbar 5 x 10-6 mbar
    样品尺寸 1 cm × 1 cm 10 cm × 10 cm 40 cm × 320 cm
    外漏率 <10-12mbar•l•s-1 <10-12mbar•l•s-1 <10-10mbar•l•s-1
    内漏率 <10-11mbar•l•s-1 <10-11mbar•l•s-1 <10-10mbar•l•s-1
    温度范围 室温~1100℃ 室温~1100℃ 室温~1100℃
    样品温度均匀性 1000℃时温差在10℃以内 1000℃时温差在3℃以内 1000℃时温差在20℃以内
    最快降温速度 5秒从1000℃降到800℃ 5秒从1000℃降到800℃ 240秒从1000℃降到800℃
    温度控制 可选PID程序控制 可选PID程序控制 可选PID程序控制
    进气控制 微漏阀或者程序控制 微漏阀或者程序控制 微漏阀或者程序控制

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