MORSENSEMI 2英寸InP单晶片主要参数指标
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掺杂 |
导电类型 |
载流子浓度（cm-3） |
迁移率（cm2V-1s-1） |
电阻（Ω.cm） |
位错（cm-2） |
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非掺 |
N-型 |
≤3×1016 |
（3.5-4）×103 |
≤1000 |
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掺S |
N-型 |
（0.8-6）×1018 |
（1.5-3.5）×103 |
≤5000/≤500 |
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掺Zn |
P-型 |
（0.6-6）×1018 |
50-70 |
≤5000 |
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掺Fe |
SI |
＞2000 |
＞1×107 |
≤5000 |
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加工技术参数 |
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规格 |
2英寸 |
3英寸 |
4英寸 |
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直径（mm） |
50.8±0.5 |
76.2±0.5 |
100.0±0.5 |
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厚度（μm） |
350±25 |
600±25 |
625±25 |
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晶向 |
（100）/（111）±0.5° |
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主定位边长（mm） |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
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副定位边长（mm） |
8±1 |
11±1 |
18±1 |
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平整度TTV(μm) |
＜10 |
＜10 |
＜15 |
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弯曲度Bow（μm） |
＜10 |
＜10 |
＜15 |
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翘曲度Warp（μm） |
＜15 |
＜15 |
＜15 |
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其他产品参数可按照客户要求定制 |
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