较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),是制造霍尔器件的理想材料。

可匹配GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料做MBE生长。

液封直拉法(CZ),保证了材料的纯度可以达到99.9999%(6N)。

所有基片都经过精密抛光并充保护气氛保护,满足Epi-Ready使用要求。