尺寸：2,3英寸；

 概述：InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。

InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

 

 应用：InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料，制作波长2-12μm的红外发光器件。

 

用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。

此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。