LPCVD
● 用 途：
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LPCVD主要用于在硅片表面沉积多晶硅、氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等工艺
● 特 点：
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较好的热均匀性好，产量大
进口压控系统、进口干泵、进口流量计及进口气路元器件
高可靠性和工艺的重复性，安装便捷，维修方便可靠
工控机全自动控制，软件界面有好直观，安全互锁、历史记录等功能强大
系统具有超温报警、断电断偶保护、气流量超差报警、计算机停机保护等多种安全报警保护功能
工艺成熟稳定，重复性好
可配备废气处理系统
● 技术指标：
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硅片尺寸 |
2--6英寸 |
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工作温度范围 |
300--1100℃ |
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恒温区长度 |
600mm |
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恒温区温度均匀性 |
±1℃（常压闭管） |
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单点温度稳定性 |
±1℃/12h |
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最大可控升温速度 |
15℃/min |
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最大降温速度(1100～850℃ ) |
5℃/min |
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控制方式 |
工控机 |
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系统极限真空 |
优于1Pa |
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真空压升值（稳态） |
<0.5pa/min |
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工作压力范围 |
20～133Pa闭环控制 |
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气体流量设定精度 |
±1％F.S |
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气路系统气密性 |
1×10-7pa.m3/s |