u主要用途
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。
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性能参数
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV
- 离子束：500V~30kV
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV
- 离子束：2.5nm/30kV
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积
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应用范围
1.定点切割
2.穿透式电子显微镜试片
3.IC线路修补和布局验证
4.制程上异常观察分析
5.晶相特性观察分析
6.故障位置定位用被动电压反差分析