主要功能：
·利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。
·技术指标：
·肖特基热场发射电子源
·加速电压：100V～30kV
·放大倍率：12X～1000,000X
·SEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）
·电子束曝光：10nm（20kV）
·场拼接精度：<100nm
·扫描频率：6MHz
·图形格式：GDSII