AWB具有执行对齐功能:

阳极，共晶，直接(高温和低温)玻璃熔块，粘合剂，焊料和热压晶片焊接。

新的“无粘合剂”临时粘接

在一台机器上对中和粘接

In-situ 对齐 accuracy.  1 微米

10-6mbar Vacuum 2 条 过程 ?特高压选项

Voltage 2.5 kV. 

Temperature 560 ° C. 

Forces 40 kN. 

结合 周期 / 高 throughput.  Market 领先 快

2 “ 8 ".  Wafer 大小

In-situ UV cure. 

自动PC控制和数据采集

实时控制所有键参数或全自动配方。所有的键合参数，如电流、电压、集成电荷、温度、室压、力、晶圆分离、运行参数、配方、SPC晶圆批号、事件日志等，都自动存储在文件中，用于图形绘制和趋势分析。机器也可以联网，并由AML远程询问，以帮助发现故障。全自动配方，包括在生产环境中自动对齐除雾操作。

对齐方式:

手动和自动对齐。原位对齐比其他焊接(在粘结室外进行对齐)具有优势。'一键'对齐和键合。可见光和红外光谱。广泛间隔的三维对齐标记的图像捕获。

校准可进行热或冷:

这消除了由于热膨胀和晶圆片、机器部件和压板之间的不匹配而导致的对准误差。

大晶片分离:

允许晶圆片之间存在较大的温差，这是通过工艺气体(如成形气体)更好地活化或原位氧化还原晶圆片的理想选择。也允许快速，高真空和良好定义的焊接环境。

现场系统:

还可以在粘接过程之前直观地确认所需的对齐仍在进行中。

晶片尺寸:

2 "， 3"， 4"， 5 "， 6 "和8 "。(芯片和形状奇怪的基板，但没有对齐)。

机械手:

使晶圆片在真空和高温下能够原位对准。

接触力:通过手动或电动液压提供，最大可达40kN。

精密晶圆平行度调整。

1μm对准精度。

光学:

双显微镜-通过镜头照明的照相机系统。两个CCD相机并排显示图像。包括红外功能。同时显示晶圆片的分离力和键合力，实现对中控制。

成键

环境:

真空，或工艺气体。全自动干式涡轮泵送系统~ 1x10- 6mbar至2bar绝对压力。特高压选项

温度:

上下压板均可独立调节，在1°C的步骤。加热和冷却速度可编程。最高温度是560℃。

电极(阳极键合):

全尺寸加热板，用于上下电极，以获得更好的粘结均匀性。0-2.5千伏直流可达40毫安。恒流或恒压运行，改善过程控制和应力管理。

AWB-04可以粘合3到6英寸的晶圆片和芯片

AWB-08可以粘合6英寸和8英寸的晶片

其他选项:

Auto alignment. 

Triple 堆栈 结合 tool. 

Powered lid. 

Pressure control. 

CMOS compatible. 

High 精度 系统 1 μm alignment. 

低温 激活 bonding.  RAD 工具

In-situ UV Cure. 

Motorised X, Y, Ǿ & Z movement. 

Image capture. 

Process support.