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    XEIA3Model2016非凡的超高分辨率成像能力 扫描电子显微镜

    产品品牌

    TESCAN

    规格型号:

    XEIA3Model2016扫描显微镜

    库       存:

    100

    产       地:

    中国-上海市

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    1.00
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:TESCAN

    型号:XEIA3Model2016扫描显微镜

    所属系列:半导体测试设备-显微镜分类-扫描显微镜

    XEIA3 Model 2016 TriglavTM——新开发的配备TriglavTM物镜及先进探测系统的高分辨扫描电子显微镜
    非凡的超高分辨率成像能力和优异的微细加工功能

    XEIA3 model 2016 是一款独特的能实现综合性能的一体化FIB-SEM。它具备了各种强大的应用功能,如快捷的微纳米FIB加工,超高分辨率可靠分析或复杂的3D重构分析等。
    TESCAN 不仅提供XEIA3 model 2016这类最新型的仪器设备,也同时致力于推动科学研究的前沿发展。TESCAN的定制系统能满足各类客户的具体需求,从材料科学到生命科学,从材料工程到半导体行业,TESCAN的设备一直都表现出高性能的特点。

    主要特点
    TriglavTM——新开发的配备TriglavTM物镜及先进探测系统的高分辨扫描电子显微镜

    • 独特的无交叉模式及超高分辨率物镜的组合,以获得良好的成像模式
    • 先进可变的探测系统能同时获得各种信号
    • 超高纳米分辨率:0.7nm@15keV
    • 极限分辨率:1nm@1keV
    • 角度选择BSE探测器能在低束能下获得最优的形貌及元素衬度
    • 实时电子束追踪技术TM能优化电子束性能
    • 传统的TESCAN大视野光学器件™设计提供各种工作和显示模式
    • EquiPower™提供了优秀的电子束稳定性
    • 新的肖特基场发射电子枪能使电子束流达到400nA以及实现电子束能量的快速改变
    • 最新的探测技术可应用于先进的失效分析过程中
    • 易损生物样品的成像
    • 磁性样品的成像
    • 优化的几何镜筒分布能够获得8’’晶圆分析手段(SEM探测,FIB微加工)
    • 3D电子束技术独特的立体成像
    • 友好的用户界面,成熟的软件模块和自动化程序

     


    Xe等离子体FIB主要特点

    • 强有力的Xe等离子源聚焦离子束FIB系统,能够在短时间内完成挑战性的大规模切割任务
    • 通用的离子束电流范围
    • 横截面TSVs,BGAs和MEMS应用的大电流
    • 大面积表面抛光,大体积FIB层析成像下的中等电流
    • TEM薄片抛光,切片下的小电流
    • 微细加工,离子成像,薄膜抛光下的极小电流
    • 无任何辅助增加气体的大质量Xe离子,具有超高溅射率
    • 大规模三维重构分析
    • 比起Ga 离子源的FIB,高加速电压下的离子注入明显减少
    • 在FIB切割时无金属间化合物形成
    • 理想的生物样品3D超细结构研究手段,如组织及所有细胞的FIB-SEM研究。

     


    应用

    半导体和微电子领域

    XEIA3 model 2016是理想的FIB-SEM系统,能够满足低束能下极限分辨率及大规模FIB-SEM分析的需求。XEIA3能够对束敏感材料进行成像,如光致抗蚀剂和最新的技术模式下超薄的晶体层。XEIA3 model 2016可以用于进行包装技术如TSVs,BGAs及电键的失效分析,这种情况下需要进行材料大体积切割,而XEIA3能够轻易达到任何维度的几百纳米的量级。

     

    • 先进封装技术的失效分析:TSV分析:应力水平下的截面分析及结构与晶粒分布,裂纹、分层和孔洞的检查;BGA;电键;
    • 集成电路的失效分析包括:二维的自上而下的气体辅助片层;TEM薄片制备;截面切片
    • 通过非导电材料或绝缘材料沉积进行电路编辑和FIB加工
    • MEMS失效分析——微机电系统
    • Cu柱,TSVs,电线,ICs的结构分析FIB-SEM层析成像
    • 原位TEM薄片成像:STEM分析及TKD-EBSD
    • 大晶片观察及微加工
    • 精细的光致抗蚀剂成像
    • EBIC故障隔离测试
    • 电池领域的TOF-SIMS分析


    材料科学

    XEIA3 model 2016为非导电材料成像提供了一种具体的解决方式,具体适用于陶瓷,高分子聚合物以及各类光束敏感型试样。Xe等离子体FIB为材料科学的研究和发展提供了极大的便利,尤其是需要用一种可控及高空间分辨率下定点切割大规模材料。等离子FIB可以快速加工并且进行无研磨损伤,无脱层沉积,晶粒改变或者其他切片技术,避免像切片机或机械抛光时所造成的其他缺陷。在微观分析方面,Xe是惰性的非导电活性气体,不会形成金属间化合物。 而Ga则会与样品表面产生反应,这可能会改变试样原始物理性质(电,磁),或者干扰元素分析。

    • 利用极限分辨率层析成像进行样品研究,可以提高聚焦深度。
    • 磁性样品成像。
    • 大型横切片。
    • 疲劳及裂纹形成分析。涉及冶金,建筑,汽车和航空工业。
    • 冶金过程的物相分析。
    • FIB-SEM断层扫描:3D EDX和3D EBSD应用于线材工业的质量测试;3D BSE应用于材料不同相的特征分析;3D分析多孔粒状材料。
    • 与TOF-SIMS联合:高分辨率微量分析和以最小损伤样品来进行薄层和涂层的表面特征分;同位素鉴定以及在核研究中类似标定质量的样品。
    • 控制离子注入和材料掺杂。
    • 制造未经镓污染的结构,例如等离子体天线

    全球支持

    在中国和美国有当地子公司代表TESCAN:

    • TESCAN CHINA, Ltd.
    • Tescan USA, Inc.
    • TESCAN-UK, Ltd.
    • TESCAN ORSAY FRANCE S.A.R.L.
    • TESCAN BENELUX

    TESCAN有遍布全球的销售和服务网,销售团队和训练有素的维修工程师保证客户得到特快服务支持和产品详情。

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