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设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念,我们做了如下设计和工程实现,实际运行效果良好,为用户的专*用*工*艺实现提供了精*准*的工艺设备方案。
靶材背面和溅射靶表面的结合处理
-靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触,接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大,接触面的电场分压增大),导致镀膜效果不好;电阻增大导致靶材发热升温,降低镀膜质量。
-靶材和靶面接触不良,导致水冷效果不好,降低镀膜质量。
-增加一层特殊导电导热的软薄的物质,保证面接触。
距离可调整
基片和靶材之间的距离可调整,以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
角度可调
磁控溅射靶头可调角度,以便针对不同尺寸基片的均匀性,做精*准*调控。
集成一体化柜式结构
一体化柜式结构优点:
安全性好(操作者不会触碰到高压部件和旋转部件)
占地面积小,尺寸约为:长1100mm×宽780mm(标准办公室门是800mm宽)(传统设备大约为2200mm×1000mm),相同面积的工作场地,可以放两台设备。
控制系统
采用计算机+PLC两级控制系统
安全性
-电力系统的检测与保护
-设置真空检测与报警保护功能
-温度检测与报警保护
-冷却循环水系统的压力检测和流量
-检测与报警保护
匀气技术
工艺气体采用匀气技术,气场更均匀,镀膜更均匀。
基片加热技术
采用铠装加热丝,由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内,所以高温加热过程中不释放杂质物质,保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里,保证温常的均匀,然后再对基片加热。
真空度更高、抽速更快
真空室内外,全部电化学抛光,完全去除表面微观毛刺丛林(在显微镜下可见),没有微观藏污纳垢的地方,腔体内表面积减少一倍以上,镀膜更纯净,真空度更高,抽速更快。
设备详情
设备结构及性能
1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室、镀膜室+手套箱
2、磁控溅射靶数量及类型:1 ~ 6 靶,圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
4、磁控溅射靶:射频、中频、直流脉冲、直流兼容
5、基片可旋转、可加热
6、通入反应气体,可进行反应溅射镀膜7、操作方式:手动、半自动、全自动
工作条件
供电 ~ 380V 三相五线制
功率 根据设备规模配置
冷却水循环 根据设备规模配置
水压 1.5 ~ 2.5×10^5Pa
制冷量 根据扇热量配置
水温 18~25℃
气动部件供气压力 0.5~0.7MPa
质量流量控制器供气压力 0.05~0.2MPa
工作环境温度 10℃~40℃
工作湿度 ≤50%
设备主要技术指标
-基片托架:根据供件大小配置。
-基片加热器温度:根据用户供应要求配置,温度可用电脑编程控制,可控可调。
-基片架公转速度 :2 ~100 转 / 分钟,可控可调;基片自转速度:2 ~20 转 / 分钟。
-基片架可加热、可旋转、可升降。
-靶面到基片距离: 30 ~ 140mm 可调。
-Φ2 ~Φ3 英寸平面圆形靶 2 ~ 3 支,配气动靶控板,靶可摆头调角度。
-镀膜室的极限真空:6X10-5Pa,恢复工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分钟左右(新设备充干燥氮气)。
-设备总体漏放率:关机 12 小时真空度≤10Pa。
1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7
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