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    HTR-01 桌式4英寸快速退火炉

    应用于半导体行业:

    半导体封装设备-其他设备类

    发货期限:

    100天

    库       存:

    1

    产       地:

    中国-北京市

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    155000.00
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:

    型号:

    所属系列:半导体封装设备-其他设备类

     HTR-01 桌式4英寸快速退火炉

     

      

    HTR-01A快速退火炉系列采用红外辐射加热技术,可实现1-10片样品同时进行,可实现4寸晶圆片吋样品快速升温和降温,同时搭配超高精度温度控制系统,可达到极佳的温场均匀性,对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氮化(RTN)、快速热氧化(RTO)及金属合金化等研究和生产起到重要作用。

    主要应用领域:

    快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);离子注入/接触退火;

    金属合金;

    热氧化处理;

    化合物合金(砷化家、氮化物等);多晶硅退火;

    太阳能电池片退火;高温退火;

    高温扩散。

    产品特点

     快速加热和降温: 最高可控升温速率可达50 /s,特定条件下可以达到100 /s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率,特定条件下可达30 /s

     精确控温采用工业级温控器进行PID精确控温,目标温度与设定温度曲线一致性高,可实现室温至1200 ℃的温度精确控制。

     适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理(氮气、氩气等)。同时,通过选配真空泵,可以在真空条件下进行退火,最高真空度可达10-5Pa

     配备观察窗口通过观察窗口,可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时,可以结合相关测试方法进行原位测试分析。

     超高安全系数采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统,全方位保障仪器使用安全。

     售后服务:,能快速反应客户售后需求。

     

     

     

     

    最大样品尺寸

    4英寸(直径20mm

    控温范围

    RT~1200

    升温速率(max)

    50/s

    高温段降温速率(max

    600/min

    温度均匀性

    1%

    控温精度

    ±0.1

    气体流量

    标配1路,可扩展至多路

    放样管径

    Ф210mm*320mm

    放样数量

              4-10

    真空度

       真空度可以达到10-5

        控制方式

    支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛,也可设置通过软件控制真空及通气时间


     

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