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    低应力氮化硅片Si3N4 LPCVD工艺 纳米压印 2寸4寸6寸

    应用于半导体行业:

    半导体器件-半导体芯片-晶圆-晶体管

    产品品牌

    芜湖恒枢

    规格型号:

    2.34.5.6.8.12英寸

    发货期限:

    48小时天

    库       存:

    999

    产       地:

    全国

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    350.00
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:芜湖恒枢

    型号:2.34.5.6.8.12英寸

    所属系列:半导体器件-半导体芯片-晶圆-晶体管

     低应力氮化硅片
    芜湖恒枢科技加工、销售 氮化硅片,大量现货。
     尺寸: 2,3,4,6英寸;
     工艺: LPCVD;LPCVD具有均匀性好,应力低,成膜质量好等优点,成本也较高;
     氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um;
     表面:单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化;
     硅片厚度:200um,500um等多种厚度;
     应用:钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度,防止硅片翘曲,并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域;
     供货能力:大量现货、参数齐全;当天出库;
     订制能力: 各种参数均可订制。

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