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    2英寸磷化镓衬底晶片

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-晶片—衬底类-磷化镓

    库       存:

    200

    产       地:

    全国

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    800.00
    交易保障 担保交易 网银支付

    客服电话:4001027270

    品牌:

    型号:

    所属系列:半导体原材料-晶片—衬底类-磷化镓


    GaP晶体的基本参数

     

     晶体结构  立方         a =5.4505 Å
     生长方法  提拉法
     密度  4.13  g/cm3
     熔点  1480  oC1
     热膨胀系数  5.3 x10-6  / oC
     掺杂物质  掺S              不掺杂
     方向  <111>or<100>     <100>or<111>
     类型  N                 N
     热传导率 2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3
     电阻率W.cm ~0.03             ~0.3
     EPD (cm-2 )  < 3x105            < 3x105

     

    晶向<100>,<111>

     

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