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Ca（OH）2晶体
使用水热合成技术获得Ca（OH）2晶体。
产品概要：
l 空间群：P-3m1
l 分层：是/可剥离到单层
l 带隙：〜4.0 eV
l 纯度：半导体级（5.5N）99.9995％
l 生长技术：气相传输 - 持续时间：2个月
l 样品尺寸：〜5 mm
Mg(OH)₂ 晶体
Mg(OH)₂ 晶体
使用水热合成技术获得Mg(OH)₂ 晶体。
产品概要：
l 空间群：P-3m1
l 分层：是/可剥离到单层
l 带隙：〜4.0 eV
l 纯度：半导体级（6N）99.9999％
l 生长技术：在45 MPa压力下利用水热合成技术历经1.5个月而成
l 样品尺寸：〜10 mm
h-BN粉末
经济的剥离解决方案是h-BN。 h-BN粉末（见图），可使用多次（+10000次）并剥离到任意衬底上。其含有的小微晶用于常规剥离以及液相剥离。
hBN薄片具有2000-10000个缺陷/单胞，拉曼光谱显示半峰高宽（FWHM）大于6-7cm-1，与文献中公布的数据相当吻合。
云母片
h-BN晶体
h-BN晶体尺寸可达到2mm，在二维材料领域视为黄金标准。无缺陷的h-BN薄片至今唯一可商业化的半绝缘二维材料，可用于制作高性能二维电子和光子器件的绝缘层材料
六方氮化硼（h-BN）单晶是理想二维衬底材料。其拉曼光谱显示在1566cm -1处的半峰高宽（FWHM）小于5cm -1，显示出其高度结晶性。带隙为5.2 eV，被认为是宽带隙半导体/绝缘体。具有化学惰性，原子平面。
应用：
l 电子产品
l 传感器 - 探测器
l STM - AFM应用
l 超低摩擦研究（摩擦学）
l 材料科学与半导体研究
云母片
MICA Ca
产品描述
化学式已经调整的层状云母族的成员，材料含有丰富的K，Mg和Fe，赋予其理想的电导率和带电表面（化学式确认为Al 2 Ca（AlSi）2O10（OH）2）。 该产品可用水热合成法在1个月内合成。 完全按c晶格方向剥离。产品纯度为99.9998％，基于吸收测量，子带边缘出现在4.8 eV。晶体对称性为C 2 / m，Cm（单斜晶）的层状材料。晶体尺寸为1cm以上，可保存多年。
MICA Ca/Mg
产品描述
化学式已经调整的层状云母族的成员，材料含有丰富的Ca，Mg，赋予其理想的电导率和带电表面（化学式确认为Ca（Al，Mg）3（SiAl3）O10（OH）2）。 该产品可用用水热合成法在1个月内合成。 沿c晶格方向排列为层状结构，易剥离。产品纯度为99.9998％，基于吸收测量，子带边缘出现在3.5 eV。晶体对称性为C 2 / m，Cm（单斜晶）的层状材料。晶体尺寸为1cm以上，可保存多年。
MICA K/Li
产品描述
化学式已经调整的层状云母族的成员，材料含有丰富的K和Li，赋予了其理想的电导率和带电表面（化学式确认为K（LiAlRb）3的（Al，Si）的4 O 10（F，OH））。 该产品用水热合成法在1个月内合成。产品纯度为99.9998％，基于吸收测量，带边缘出现在4.1 eV。晶体对称性为C 2 / m，Cm（单斜晶）的层状材料，易剥离。晶体尺寸1cm以上，可保存多年。
MICA K/Mg/Fe
产品描述
化学式已经调整的层状云母族的成员，材料含有丰富的K，Mg和Fe，赋予了其理想的电导率和带电表面（化学式确认为K（FeMg）3Si3AlO10（OH）2）。 该产品用水热合成法在1个月的合成。产品纯度为99.9998％，基于吸收测量，带边缘出现在4.2 eV。晶体对称性为C 2 / m，Cm（单斜晶）的层状材料，易剥离。晶体尺寸为1cm以上，可保存多年。
