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    4英寸氮化镓复合衬底 东莞中镓

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-晶片—衬底类-氮化镓

    产品品牌

    中镓

    库       存:

    1000

    产       地:

    中国-广东省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:中镓

    型号:

    所属系列:半导体原材料-晶片—衬底类-氮化镓

    4英寸氮化镓复合衬底

    产品型号
    Item
               ST-ncY-Φ100        
    尺寸
    Size (mm)
      Φ100.0±0.5
    GaN厚度
    Thickness (μm)
       6~8,Customized
    导电类型
    Conduction Type
      Un-doped N-type  Si-doped N-type
    电阻率 (300K)
    Resistivity (Ω•cm)
      ≤ 0.5  ≤ 0.05
    晶向
    Orientation
    C-axis(0001)±0.5°   
    GaN层厚度均匀性
    GaN Thickness Uniformity
          ≤ ±5%             ≤ ±8%       ≤ ±10%
    位错密度
    Dislocation Density (cm﹣² )­
       Grade A
    Grade B
    107 108
    衬底结构
    Substrate Structure
    GaN on Sapphire(0001)   
    有效面积
    Useable Surface Area
     >90%  
    包装
    Package
    Packaged in a class 100 clean room environment.   

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