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    氮化铝(AlN) 衬底片 北京中研环

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-其它材料-其它

    产品品牌

    中研环

    库       存:

    1000

    产       地:

    中国-北京市

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    客服电话:4001027270

    品牌:中研环

    型号:

    所属系列:半导体原材料-其它材料-其它

    氮化铝(AlN)
    陶瓷基片
    氮化铝(AlN)
     

    简介:

    用途:AlN具有热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性的特点,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料。

    特点:北京瑞发致远能提供常规AlN和金属化的AlN基片。即在AlN表面镀一层金属层,其附着力在1.5-3.0之间,可焊性好。

    参数:

     

    AlN单晶基片
    密度 3.20-3.26g/cm3
    纯度 >99.99%
    热膨胀系数 4.2-4.5ppm/℃
    介电常数 8.7-9.0
    抛光 单面或双面
    封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒

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