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    SB-402双面曝光机

    应用于半导体行业:

    半导体加工设备-光刻设备-UV光刻机

    产品品牌

    第四十五研究所

    库       存:

    5

    产       地:

    中国-北京市

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:第四十五研究所

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-光刻设备-UV光刻机

     SB-402双面曝光机(光刻机)主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等制作的双面对准和曝光。最大兼容4英寸晶圆。

    主要技术特点 

    对准工作台:

    高精度薄型精密双层三维对准工作台,采用交叉滚柱V形导轨副和θ向超薄轴承及中心滑块结构,保证了工作台的直线性和旋转精度。
    机械手机构:
    机械手采用直线导轨和滚珠丝杠结构,具有高的定位精度和重复精度。
    上版架系统:
    上掩模版的升降导轨选用THK可调分离型直线导轨,驱动采用高分辨率的数显微分头,从而保证两掩模版的重复精度和定位精度。
    对准观察系统: 
    双光路结构的卧式分离视场显微镜,可以获取高清晰的图像同时兼容CCD成像液晶显示功能
    电气控制系统:
    整机采用PLC+触摸屏控制,提供运行状态显示及多种检测功能,易于操作,控制精度高,性能稳定。
    曝光系统:
    上、下两套独立的紫外光曝光系统,采用先进的结构方案,具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。




     详细参数:
    □对准工作台指标:
     X向行程:±4mm
     Y向行程:±4mm
     旋转角θ向:±5°
     基片尺寸:Maxφ4″
     掩模尺寸:Max5″×5″
     双面对准精度:±0.003mm
    □机械手机构指标;
     机械手对下掩模分离间隙:0~100μm(当量1μm)
    □曝光系统指标;
     光源:250W超高压汞灯
     波长:UV365
     最大曝光面积;φ110mm
     曝光不均匀性:±3%
     曝光分辨率:3μm(正胶)
     汞灯冷却: 风冷
     曝光时间:0~999s 档量1s
    □分离视场显微镜指标:
     总倍率: 65X
     视场:φ3.3mm
     物镜分离距离:26~70mm
    □所需设施:
     输入电压:~220V±22V(50HZ)
     整机功率:1.5KW
     室内光线: 红色、黄色
     氮气(N2):0.2~0.4MPa
     压缩空气:0.5~0.7MPa
     真 空 :-0.08~-0.1mPa
    □体积及重量:
     重量: 480㎏
     外形尺寸:950㎜×850㎜×1500㎜ 

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