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主要特点：
| 1. 高去除率 : 参考值:SiC 15um~20um/min, Si Wafer 40~50um/min （具体视砂轮的粒径、材质及工艺而定) | ||
| 2.行业领先的高精度减薄进度控制: min 0.1um/秒，特别适用于超薄易碎片减薄。 | ||
| 3.日本进口变频器，日本进口PLC触摸屏，可实现多样化自主操作工艺 | ||
| 4. HMI人机互动，数据界面直读系统 | ||
| 5. 加工精度行业内领先 :晶片加工均匀性≤3um, 目标厚度误差:≤±2um，最小加工厚度:≥50um | ||
| 6.日本原装高转速伺服电机，确保设备高精度、高稳定性运行。 | ||
| 7. 工件固定方式可选配置，满足不同产能需求: 多孔真空吸附适用于研发，单片加工；陶瓷盘贴蜡固定，适用于产能效益，设备兼容性高，2"~6"兼容。 | ||
| 8. 设备性能稳定可靠，损耗率低。 | ||
| 9. 晶片厚度自动测厚系统可选配，满足客户自主多样化精度需求 。 | ||
| 10. 缓慢启动﹑缓慢停止装置。 | ||
| 11. 完善的售后服务，12小时内电话或邮件回复问题，48小时内工程师到达客户现场。 | ||
| 12. 质保期间3月1次工程师例行拜访，实时解决客户的需求和突发问题。 | ||
| 13. 设备适用于多种材料加工，高硬性SiC材料、蓝宝石、软性材料Si、InP、Ge、GaAs、GaSb等等。 | ||
