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    ZEISSAUGISA聚焦离子束电镜

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    11

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    全国

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    所属系列:半导体测试设备-显微镜分类-聚焦显微镜

     FIB技术主要利用液态金属离子源作为高电流密度的离子枪,其最小离子束直径可达几个纳米。因此可在纳米水平上进行快速、准确的刻蚀纳米加工。同时,利用配置的气体注入系统(GIS),可以对样品进行纳米尺度的金属、绝缘体沉积,并可以对金属、绝缘体材料进行选择性腐蚀,因此在对集成电路进行改性、制备纳米量子器件、纳米集成电路,如单电子量子开关、纳米场效应管,准一维纳米结构的量子输运研究,及剖析微器件的横截面、透射电镜样品的制备等半导体、介观物理研究领域,具有广泛的应用。简单综合起来,FIB主要具有以下强大功能:

    (1)对微器件进行减薄、剥蚀等解剖分析,

    利用高电流密度的离子枪,可对微小样品进行纵深切割、定向钻孔。因此可对微器件,尤其是微器件,如磁头、计算机芯片等进行剖析;

    利用选择性腐蚀技术,选择性地腐蚀金属或绝缘体,增加器件结构的衬度,便于微器件的剖析;

    对集成电路进行改性(IC modification);

    快速、高效地制备微器件的横截面的透射电镜样品,该技术是目前其它截面电镜样品制备技术所无法比拟的;

    (2)纳米加工(Nano Lithography):

    利用纳米离子束进行金属、绝缘体的沉积,生成导电极片(conductive pads),进行迹线连接 (connecting traces),结合选择性腐蚀技术,可制备纳米器件,如单电子量子开关,纳米场效应二极管;量子点的制备;量子线的制备及其量子输运特性研究,及微机械结构(Micro- electromechanical structures, MEMS)的加工等。

    ZEISS公司最新推出的新一代聚焦离子束电子显微镜AURIGA是一台高灵活性的CrossBeam工作站,它可以由客户自主选择应用目的。

    独特的成像能力

    ·         在有局部电荷中和器的条件下,可以使用所有的标准探测器进行非导体样品的成像

    ·         在一个包括EsB技术的独特探测器设计中,可同时探测形貌和组分信息。

    ·         具有GEMINI物镜设计,可进行磁性样品的研究

    先进的分析能力

    ·         具有局部电荷中和器,可进行非导体材料的分析

    ·         具有15个附属接口的多用途样品室

    ·         最佳的样品室几何设计,可同时安装EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附属设备

    精确的处理能力

    ·         创新的FIB技术,具有最高级别的分辨率

    ·         在FE-SEM实时监控整个样品制备的过程中,具有高的分辨率

    ·         先进的气体处理技术,用于离子束和电子束的辅助刻蚀和沉积

    客户自主选择和未来的可扩展性

    ·         基于一种全面的模块化的理念,AURIGATM CrossBeam?工作站可以由客户自行进行选择,以满足其今天以及未来的个性化应用。

    ·         从一个高性能的FE-SEM平台出发,这个系统伴随着广泛的可选的硬件和软件品种而升级,如:FIB,GIS,局部电荷中和系统和不同的探测器

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