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    包邮 关注:171

    JNG30N120HS

    应用于半导体行业:

    半导体器件-其他器件类

    产品品牌

    jiaensemi

    库       存:

    10000

    产       地:

    全国

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    7.85
    交易保障 担保交易 网银支付

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    品牌:jiaensemi

    型号:

    所属系列:半导体器件-其他器件类

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    Symbol

    Parameter

    Value

    Units

    VCES

     Collector-Emitter Voltage

    1200

    V

    VGES

     Gate-Emitter Voltage

    +30

    V

    IC

     Continuous Collector Current( TC=25℃)

    55

    A

     Continuous Collector Current ( TC=100℃)

    30

    A

    ICM

     Pulsed Collector Current (Note 1)

    100

    A

    IF

     Diode Continuous Forward Current( TC=100℃)

    30

    A

    IFM

     Diode Maximum Forward Current (Note 1)

    100

    A

    tsc

     Short Circuit Withstand Time

    10

    us

    PD

     Maximum Power Dissipation( TC=25℃)

    300

    W

     Maximum Power Dissipation( TC=100℃)

    120

    W

    TJ

     Operating Junction Temperature Range

    -55 to +150

    TSTG

     Storage Temperature Range

    -55 to +150

    Thermal Characteristics

    Symbol

    Parameter

    Max.

    Units

    Rth j-c

     Thermal Resistance, Junction to case for IGBT

    0.42

    ℃/W

    Rth j-c

     Thermal Resistance, Junction to case for Diode

    0.83

    ℃/W

    Rth j-a

     Thermal Resistance, Junction to Ambient

    40

    ℃/W

     

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