网站首页

|EN

当前位置: 首页 » 设备馆 » 半导体加工设备 » 刻蚀设备 » 高密度等离子体刻蚀机 »LCCP-6A型全自动刻蚀机 Leuven鲁汶仪器(中国北京)
    包邮 关注:1144

    LCCP-6A型全自动刻蚀机 Leuven鲁汶仪器(中国北京)

    产品品牌

    Leuven

    规格型号:

    LCCP-6A型全自动刻蚀机

    库       存:

    100

    产       地:

    中国-北京市

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:Leuven

    型号:LCCP-6A型全自动刻蚀机

    所属系列:半导体加工设备-刻蚀设备-高密度等离子体刻蚀机

    LCCP-6A型全自动刻蚀机 Leuven鲁汶仪器(中国北京)

    产品展示等离子体刻蚀

    LCCP-6A型全自动刻蚀机

     

    系统简介

    鲁汶仪器生产的LCCP-6A型全自动RIE刻蚀机是一台实验室常备通用刻蚀机。

    可通F基气体刻蚀SiSiO2SiNPoly-SiGeWMoTa、石英等。还可通氧气去除光刻胶和刻蚀有机膜。

    刻蚀工艺全自动,软件中包括刻蚀材料的推荐工艺菜单,操作简单,重复性好,经久耐用。

    刻蚀线宽最小可达200nm

    刻蚀速率随材料的不同而异,一般为100~500nm/min


    器性能

    1、刻蚀速率:100~500nm/min(由被刻蚀材料而定)。

    2、刻蚀均匀性:≤±5%(6")


    标准机型主要配置

    1、阳极氧化铝腔室;

    2、分子泵、机械泵高真空机组;

    3、射频电源带自动匹配器;

    4、数字真空计和压力开关;

    5、气路系统、数字流量计标配5套,可定制增减;

    6、调压阀、高阀、低阀;

    7、带触摸屏集成工控计算机,有严格的检漏、互锁、报警安全措施

    8、具有He背冷和水冷系统,可冷却待加工基片。


    案例分析

    1. SiO2均匀性(图1

    l 工艺条件:样品尺寸 6英寸,CF4等刻蚀气体

    l 刻蚀时间35秒、70秒、120秒,通过薄膜纳米孔径分析仪和台阶仪分析均匀性分别为±2.4%、±2.6%和±1.7%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。

    2. Si3N4均匀性(图2

    l 工艺条件:样品尺寸 4英寸,CF4等刻蚀气体

    l 刻蚀时间40秒、70秒、140秒、280秒,通过薄膜纳米孔径分析仪和台阶仪分析均匀性分别为±2.1%、±2.3%和±1.3%和±2.0%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。

    3. 4Si均匀性(图3

    l 工艺条件:CF4等刻蚀气体

    l 硅片测试时间为500秒和625秒,测试均匀性分别为±2.85%和±1.12%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。

    4. 6Si均匀性(图4

    l 工艺条件:CF4等刻蚀气体

    l 硅片测试时间为300秒,测试均匀性分别为±2.99%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。

    1. SiN刻蚀陡直度(图56

    l 工艺条件:CHF3CF4等刻蚀气体

    l 刻蚀线条非常陡直。

    2. SiO2刻蚀陡直度 (7 8)

    l 工艺条件:CHF3CF4等刻蚀气体

    l 刻蚀线条非常陡直。





    关于我们

     

    江苏鲁汶仪器有限公司是由比利时鲁汶仪器、中科院微电子研究所等共同注资成立。公司总部位于江苏省邳州市,在比利时设有研发中心及销售部,在北京和俄罗斯设有销售部。公司秉承“以创新为主导,客户信赖为第一”的宗旨,倡导精益求精的工匠精神,为客户提供性能卓越的半导体研发、生产、材料检测等精密设备及配套技术服务。

    公司旨在研发与生产大学实验室、研究所及半导体生产线所需仪器设备,瞄准定制化市场。主要产品有薄膜材料纳米孔径分析仪、高端平台刻蚀机、等离子体刻蚀系列设备、化学气相沉积系列设备、溅射薄膜镀膜系列设备、原子层镀膜系列设备、湿法清洗刻蚀系列设备等,公司拥有自主专利技术,核心产品技术国际领先。

    公司坚持以人为本,技术团队囊括诺贝尔奖获得者、两名“千人计划”专家,多名国内外半导体领域知名教授及高校科研院所的年轻技术骨干。国际一流的人才团队为公司保持技术领先、实现创新驱动打下了坚实的基础。

    公司致力于成为全球一流的半导体设备供应商,愿与客户、供应商、业界同仁及投资者共同开拓和缔造半导体设备领域的广阔未来!

     

    咨询

    购买之前,如有问题,请向我们咨询

    提问:
     

    能刻蚀的最大深度能不能到100微米?浅处和最深处宽度差多少?

    hjool  2017-07-24

     刻蚀深度与光刻效果、刻蚀材料、选择比、光刻胶、选择的气体等等都有关系。不能简单得来描述能否刻蚀多深,还要落实到具体要求上。可以留联系方式,电话沟通

    2017-07-25

    请问你们这台设备的排气有没有回收装置或者废气处理装置?精度怎么样?

    caoweihuo  2017-07-11

     尾气处理都是第三方公司来处理,这台设备没有尾气处理装置。
    可以留个联系方式,具体事宜可以面谈

    2017-07-20

    多少路气体的,加工几寸规格的?

    dssj  2017-07-13

     您好。设备气路根据您的需求定制,要是刻蚀硅材料,通常5路气体:CF4、CHF3、SF6、O2、Ar。样品尺寸可以根据要求定制,目前可以加工6英寸及以下尺寸样品。
    可以留联系方式,有机会可以面谈。我的电话13811844891

    2017-07-20

    应用于半导体行业的相关同类产品:

    服务热线

    4001027270

    功能和特性

    价格和优惠

    微信公众号