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Veeco 适用于功率器件的 Propel Power GaN MOCVD 系统
单晶片反应腔技术能够生产 GaN 基高效功率器件。
Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系统专为电力电子器件行业而设计。该系统采用单晶片反应腔平台，能够处理六至八英寸晶片，可沉积高品质的 GaN 薄膜，生产高效率的电力电子器件。这种单晶片反应腔基于 Veeco 的领先 TurboDisc® 设计并采用突破性的技术，其中包括新的 IsoFlange™ 以及可在整个承载盘中提供均匀的层流和统一温度曲线的 TruHeat™ 晶片线圈。客户可以很轻松地从 Veeco K465i™ 和 MaxBright™ 系统切换到 Propel Power GaN MOCVD 平台。
- 出色的薄膜均匀度、产量和设备性能
- 具有较长的运行时间和较低的颗粒缺陷，实现出色的良率和灵活性
- 快速研究周期可加速从硅基氮化镓研发过渡到大批量生产
- 模块化设计，实现轻松的配置、操作和维护
