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u主要用途
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。
u
性能参数
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素；
b)侦测波长范围900nm - 1700nm
c)像素尺寸：30um x 30um
d)曝光时间 20ms - 400s
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x
f)Back side EMMI
u
应用范围
1.P-N接面漏电
2.饱和区晶体管的热电子
3.P-N接面崩溃
4.闩锁效应
5.氧化层漏电流产生的光子激发
