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    供应 鹏城半导体 等离子增强化学气相沉积(PECVD设备) 非标定制

    库       存:

    999

    产       地:

    全国

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-镀膜设备-等离子沉积设备

     等离子增强化学气相沉积(PECVD设备)主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

     

     

    设备用途和功能特点

    1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。

    2、设备保护功能强,具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。

    3、配置尾气处理装置。

     

    设备安全性设计

    1、电力系统的检测与保护

    2、设置真空检测与报警保护功能

    3、温度检测与报警保护

    4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护

     

    设备技术指标

     

     样片尺寸  ≤φ6英寸(或3片2英寸)

     样片加热台加热温度  室温~ 600℃±0.1℃

     真空室极限真空  ≤7×10-5Pa

     工作背景真空  ≤8×10-4Pa

     设备总体漏放率  停泵12小时后,真空度≤10Pa

     样品、电极间距  5mm ~ 50mm在线可调

     工作控制压强  10Pa ~ 1500Pa

     气体控制回路  根据工艺要求配置

     单频电源的频率  13.56MHz

     双频电源的频率  13.56MHz/400KHz

     

    工作条件

     

     供电  三相五线制 AC 380V

     工作环境温度  10℃~ 40℃

     气体阀门供气压力  0.5MPa ~ 0.7MPa

     质量流量控制器输入压力  0.05MPa ~ 0.2MPa

     冷却水循环量  0.6m3/h 水温18℃~ 25℃

     设备总功率  7kW

     设备占地面积  2.0m ~ 2.0m

     

    PECVD及太阳能薄膜电池设备


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