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感应耦合等离子刻蚀 刻蚀代加工

发表于:2019-10-24  作者:gdisit  关注度:471

 

设备名称:感应耦合等离子刻蚀机(ICP) /英国牛津仪器

用途:刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料
 
技术指标:
1. ICP离子源:0-3000W;RF射频源:0-600W
2. 刻蚀气体:Cl2、BCl3、Ar2、SF6、O2、CHF3
3. 样品尺寸:27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸
3. 基底刻蚀温度: -20℃-80℃可调
4. 刻蚀均匀性:<±3%

 案例
             GaN深刻蚀      
                                              GaN深刻蚀:各向异性刻蚀   

 Si深刻蚀
                                                 Si深刻蚀:各项同性刻蚀

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