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低压化学气相沉积法 代加工

发表于:2019-10-24  作者:gdisit  关注度:418

 

设备名称:低压化学气相沉积法(LPCVD)


用途:干氧SiO2,湿法SiO2,SiNx生长,更好的成膜致密性

技术指标:
1、温度:300~1100℃,恒温区:350mm/±1℃
2、极限真空度:8×10-1Pa,压力测控范围:1Pa~1000Pa
3、适用晶片:50*4英寸、50*6英寸
4、膜厚均匀性(150nm)片内≤2%  片间≤2%  批间≤2%

 

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