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    包邮 关注:357

    2英寸磷化铟衬底晶片

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-晶片—衬底类-磷化铟

    库       存:

    20

    产       地:

    全国

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    2000.00
    交易保障 担保交易 网银支付

    客服电话:4001027270

    品牌:

    型号:

    所属系列:半导体原材料-晶片—衬底类-磷化铟


    1. InP 单晶参数
    品种
    直径
    (英寸)
    类型
    浓度
    (cm-3
    迁移率
    (cm2/V.s)
    电阻率
    (W.cm)
    位错密度
    (cm-2)
    非掺 InP
    2
    N
    (0.8-2)´1016
    (3.5- 4) ´103
     
    (5-6)´104
    S-InP
    2
    N
    (0.8-3)´1018
    (4-8)´1018
    (2.0-2.4) ´103
    (1.0-1.6) ´103
     
    < 3´104
     <5´102(60%面积)
    3
    N
    (0.8-3)´1018
    (4-6)´1018
    (2.0-2.4) ´103
    (1.3-1.6) ´103
     
    < 5´104
    < 1´103(60%面积)
    Zn-InP
    2/3
    P
    (0.6-2) ´1018
    (3-6)´1018
    70-90
    50-70
     
    < 5´104
     <5´102(60%面积)
    Fe-InP
    2
    N
    107-108
    ³2000
    107-108
    < 3´104
    3
    N
    107-108
    ³2000
    107-108
    < 6´104
    多晶
    50-70
    N
    (0.6-5)´1016
         
    晶片单面抛光或双面抛光,开盒即用。晶向(100), (111)。 标准厚度: 2英寸片, 350±25mm;3英寸片600±25mm,  可加工其它特殊参数要求晶片。

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