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    包邮 关注:361

    3英寸磷化铟InP衬底

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-晶片—衬底类-磷化铟

    产品品牌

    morsensemi

    规格型号:

    3英寸

    发货期限:

    3-7天

    库       存:

    1000

    产       地:

    中国-江苏省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:morsensemi

    型号:3英寸

    所属系列:半导体原材料-晶片—衬底类-磷化铟

    MORSENSEMI 3英寸InP单晶片主要参数指标

    掺杂
    导电类型
    载流子浓度(cm-3
    迁移率(cm2V-1s-1
    电阻(Ω.cm)
    位错(cm-2
    非掺
    N-型
    ≤3×1016
    (3.5-4)×103
    ≤1000
    掺S
    N-型
    (0.8-6)×1018
    (1.5-3.5)×103
    ≤5000/≤500
    掺Zn
    P-型
    (0.6-6)×1018
    50-70
    ≤5000
    掺Fe
    SI
    >2000
    >1×107
    ≤5000
    加工技术参数
    规格
    2英寸
    3英寸
    4英寸
    直径(mm)
    50.8±0.5
    76.2±0.5
    100.0±0.5
    厚度(μm)
    350±25
    600±25
    625±25
    晶向
    (100)/(111)±0.5°
    主定位边长(mm)
    16±2
    22±2
    32.5±2
    副定位边长(mm)
    8±1
    11±1
    18±1
    平整度TTV(μm)
    <10
    <10
    <15
    弯曲度Bow(μm)
    <10
    <10
    <15
    翘曲度Warp(μm)
    <15
    <15
    <15
    其他产品参数可按照客户要求定制

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