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精密表面处理的单晶片湿法蚀刻技术可实现多个工艺级别的均匀选择性蚀刻，且绝无交叉污染。日常可获得比 1% 更理想的蚀刻一致性。无论先进封装还是 FEOL/BEOL 湿法蚀刻，WaterEtch™ 系统均可以最低的生产成本实现最高产量的工艺。在活性、背面和/或斜角区域需要蚀刻结构或薄膜时，WaferEtch 系统可提供久经验证的技术解决方案。
TSV 露出器
作为 WaferEtch 平台的旗舰产品，TSV 露出器进行了特别配置以满足晶片薄化以露出互锁装置的工艺要求。这已成为 2.5D 和 3D-IC 封装制造的关键步骤，能够实现工艺控制并降低成本。TSV 露出器可取代干法蚀刻所需的四种工具：CMP、等离子蚀刻、硅厚度测量以及晶片清洗。蚀刻系统中的集成式厚度测量传感器可对晶片蚀刻过程进行闭环控制。TSV 露出器实现了 CoO 的明显减少，使 3D TSV 更加经济可行。
金属/UBM/RDL 蚀刻
金属经过湿法蚀刻具有单晶片的精度和重复性，初始一致性通常低于 3%，然后优化至晶片内和晶片间一致性均达到 1% 以上。精密表面处理的 WaferChek® 系统可提供原位自适应工艺控制，通过晶片的光学特性来管理湿法蚀刻工艺。
功能：
应用领域：
介电层蚀刻
功能：
应用领域：
商家资料
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