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EBL光刻

发表于:2020-02-26  作者:ioptee01  关注度:510

 联系方式:18951907529
为使用电子束在表面上制造图样的工艺,是光刻技术的延伸应用,在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路、Q器件、纳米Fin-FET器件、同心圆绕射板及高功率HEMT器件的图形制备。

设备型号为:ELIONIX-F125,可用于直径200mm样品(尺寸向下兼容)的制版和图形转移,可用于制备最小线宽为8nm的图形,写场拼接精度及套刻精度达到±10nm (100微米写场)。

指标名称

要求参数

灯丝类型

热场发射

电子束形状

高斯

加速电压*

最高电压不低于120 kV

最小线宽*

8nm

束流

5pA-100nA

最小束斑直径*

1.7nm

束斑位置稳定度

30nm / 1h

束流稳定度

Within 0.5 % / 1h

写场:

大于1mm (在100kV下)

电子束位置精度

20bit DAC

电子束扫描速度*

100MHz

曝光尺寸:*

X:210 mm, Y: 210 mm

最大样品尺寸*

8寸圆晶

写场拼接精度*

±10nm (100微米写场)

套刻精度*

±10nm (100微米写场)

移动台精度*

0.3nm

样品台

不少于6个,满足8寸及以下各种尺寸样品

Beamer曝光处理软件及服务器

包含

曝光机恒温外部包围

包含,可控制到室温波动的1/10

曝光预对准组件

包含

曝光图形光学镜检组件

包含

电子束胶恒温显影箱

包含

UPS

大于1小时

电磁屏蔽系统

包含

被动式减震系统

包含

1582706401(1)1582706422(1)

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