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为使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用，在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路、Q器件、纳米Fin-FET器件、同心圆绕射板及高功率HEMT器件的图形制备。
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指标名称 |
要求参数 |
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灯丝类型 |
热场发射 |
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电子束形状 |
高斯 |
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加速电压* |
最高电压不低于120 kV |
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最小线宽* |
8nm |
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束流 |
5pA-100nA |
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最小束斑直径* |
1.7nm |
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束斑位置稳定度 |
30nm / 1h |
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束流稳定度 |
Within 0.5 % / 1h |
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写场： |
大于1mm (在100kV下) |
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电子束位置精度 |
20bit DAC |
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电子束扫描速度* |
100MHz |
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曝光尺寸：* |
X:210 mm, Y: 210 mm |
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最大样品尺寸* |
8寸圆晶 |
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写场拼接精度* |
±10nm （100微米写场） |
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套刻精度* |
±10nm （100微米写场） |
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移动台精度* |
0.3nm |
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样品台 |
不少于6个，满足8寸及以下各种尺寸样品 |
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Beamer曝光处理软件及服务器 |
包含 |
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曝光机恒温外部包围 |
包含，可控制到室温波动的1/10 |
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曝光预对准组件 |
包含 |
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曝光图形光学镜检组件 |
包含 |
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电子束胶恒温显影箱 |
包含 |
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UPS |
大于1小时 |
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电磁屏蔽系统 |
包含 |
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被动式减震系统 |
包含 |
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