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等离子刻蚀

发表于:2020-04-14  作者:ioptee01  关注度:390

 联系方式:18951907529
能够刻蚀硅基材料、三五族材料、金属及化合物材料、二六族、光刻胶和有机膜等材料。

能够完成最大8英寸晶圆的刻蚀,刻蚀均匀性在片内均匀性优于±2%,片间均匀性优于±5%,批次重复性优于±3%。
研究院现有三台刻蚀设备:
1.RIE(反应离子刻蚀台) 鲁汶仪器 HAASRODE-R150S 6inch向下兼容(含碎片)
2.ICP(电感耦合等离子刻蚀台) 德国SENTECH 6inch向下兼容 (含碎片)
3.ICP(电感耦合等离子刻蚀台) 鲁汶仪器 HAASRODE-E200A 8inch向下兼容(含碎片)

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