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深硅刻蚀代工

发表于:2020-04-27  作者:ioptee01  关注度:495

联系方式:18951907529
北方华创 HSE200 型深硅刻蚀机

1、设备描述: ICP-RIE 刻蚀系统,具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性,主要用于 150mm 晶片(可兼容直径 150mm 晶片或以下尺寸样品)
的高深宽比各向异性刻蚀;快速切 换工艺气体;采用 BOSCH 工艺,背氦冷却,专用于深硅刻蚀。
2、技术指标:
(1)4 路工艺气体:C4F8、SF6、O2和 Ar;
(2)ICP 主射频功率:50-3000W;副射频功率 50-1500W;Bias 源功率: 15-600W;匹配稳定时间<1s;
(3)下电极温度范围-20~80℃下电极控温精度±0.5℃;
(4)光刻胶选择比>50,氧化硅选择比>150。
3、样品要求:
(1)最大样品尺寸为 6 英寸;向下兼容;
(2)可使用光刻胶和氧化硅作为刻蚀掩膜; 
微信图片_20200427150619
刻蚀效果图:

微信图片_20200511170557

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