半导体要闻 硅晶圆 砷化镓晶圆 芯片 英特尔等综合新闻
发表于：2017-08-30 作者：dsm1219 关注度：587
重庆超硅再传喜讯，8寸抛光硅晶圆通过国内某8寸晶圆制造厂初步认证，将于8月底开始小批量风险评估。
重庆超硅的规划产能是8寸月产25万片，12寸月产15万片。
同时公司的12寸晶棒已于2016年拉出，日前晶体质量验证完成，硅晶圆即将送样认证。据悉公司的12寸抛光硅晶圆片可以满足目前尖端的10nm工艺制程要求。
重庆超硅送样的是COP free(Crystal Originated Particle free无原生缺陷片)，其颗粒控制在<10
@65nm。以CZ型8寸硅晶圆片为例，因为有原生缺陷，一般的轻掺prime wafer的颗粒只能控制在<10@0.1um（也就是说在8寸晶圆片中有小于10个0.1um大小的颗粒），但是COP free硅晶圆片可以控制在<10
@80nm（也就是说在8寸晶圆片中有小于10个80nm大小的颗粒）。据业内人士说，CZ型8寸硅晶圆的颗粒极限是<10
@50nm。当然制程越高对颗粒的尺寸要求越严格。
湘潭6寸砷化镓晶圆/射频器件项目开建年产能7万片满足10亿手机终端需求
8月25日，湘潭高新区时变
半导体项目一期开工仪式举行。
时变半导体项目由湖南时变通讯科技有限公司投资建设，项目总投资15亿元，分两期开发建设。一期建筑面积13000平方米，内含1500平方米的洁净室，预计今年年底完工并正式投产；二期工程计划于2018年初开工，建成后可实现就业1000余人，预计每年将生产约7万片6寸砷化镓晶圆和约10亿只手机终端专用的可编程宽带滤波器和双工器。
遂宁6英寸MOSFET芯片项目一期投产完善遂宁市集成电路制造产业链
8月18日，位于经开区的四川广义微电子股份有限公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片项目一期生产线正式投产。
“‘0.25微米6英寸MOSFET’芯片项目，总投资31.8亿元，新征土地219亩，分三期建设。”据四川广义微电子股份有限公司董事长王作义介绍，公司将建设6英寸芯片生产线3条和8英寸芯片生产线3条，形成年产96万片/条的生产能力。
紫光股份半年净利润超两倍解读战略部署下的核心驱动
紫光股份有限公司打造完整而丰富的“云-网-端”产业链正见成效。8月24日晚间，紫光股份发布2017年中报，报告期内，紫光股份实现营业收入168.77亿元，同比增长82.11%；净利润为8.06亿元，同比增长203.99%；每股收益为0.77元。
英特尔大连工厂预计今年新增固定资产投资 20 亿美元以上
位于大连经济技术开发区的英特尔是大连乃至全国改革开放以来最大的外资项目。英特尔大连工厂于 2007 年奠基，2010 年正式投产。2015 年 10 月，英特尔宣布投资 55 亿美元，升级大连工厂为非易失性存储技术制造基地。2017 年 3 月，投资 55 亿美元的英特尔非易失性存储器项目第二阶段的项目扩建工程也正式启动，将新增半导体生产设备约 1000 台（套），将于 2019 年 3 月竣工投产，预计今年新增固定资产投资 20 亿美元以上。
通富微电厦门建新厂 火力全开融入国际产业链
通富微电，是排名全球第八、中国大陆前三的封测企业，是大陆封测企业中第一个实现12英寸28纳米手机处理器后工序全制程大规模生产的企业，拥有行业内先进封测技术，整体技术能力与国际先进水平基本接轨。
今年6月26日，通富微电与厦门市海沧区政府签订共建集成电路先进封测生产线的战略合作协议，不到60天的时间，该项目便完成了项目公司注册、一期地块招拍挂、配套设施完善等相关事项。厦门通富微电项目，总投资70亿元，计划按三期分阶段实施；其中，一期用地约100亩，规划建设2万片Bumping、CP以及2万片WLCSP、SIP（中试线）。目前，该项目正按照今年第三季度开工建设、2018年11月试投产的目标有序推进。
南京德科码获TowerJazz强援 缺乏金主未来仍不明朗
2017年8月21日以色列晶圆代工商TowerJazz与德科码半导体科技(Tacoma Semiconductor Technology Co.)签署协议，向德科码在南京的8寸工厂提供技术支持以及运营和一体化咨询，以帮助德科码进行生产。
根据最终协议，TowerJazz将在未来数年按照重要里程碑向德科码收取款项。目前德科码已经支付了第一笔款项1800万美元。协议同时规定，从投产开始，TowerJazz将有权获得南京德科码晶圆厂多达50%的产能。
据悉，南京德科码晶圆厂计划每月生产4万片晶圆，意味着TowerJazz将可望获取20000片晶圆产能，这将使TowerJazz有更多的制造灵活性，有更多的产能来满足增长中的全球需求。
看好中国半导体产业腾飞ASML南京分公司近日开业
据南京日报报道，8月18日，全球最大芯片光刻设备市场供货商阿斯麦（ASML）在南京的分公司正式开业。作为台积电的重要合作伙伴及上游供应商，该企业选择落户在南京江北新区研创园孵鹰大厦。
跟随台积电的步伐，ASML在南京的布局在一年前启动。去年11月考察江北新区研创园后，被园区前端的产业定位、创新的整体设计、完善的软硬件配套所吸引。今年8月，ASML南京分公司完成了750平米办公设施搭建，以及服务工程师、装机工程师、应用工程师等多职能覆盖的团队组建。谈及ASML未来对中国半导体市场前景的展望，该公司中国区负责人表示，中国半导体产业正在腾飞，自去年起，启动或宣布即将建设的新工厂已超过20个，ASML未来在中国将会有更多的机会，同时他们也非常看好南京江北新区的发展环境。
兆易创新加强在中芯与华力微上投片NOR Flash 涨势恐有阴霾
在兆易创新有了客户，但是武汉新芯在有自己的营运考量，也就是旗下 12 寸厂每月 3 万片的产能，三分之一用来进行逻辑 IC 代工，三分之二才进行 NOR Flash 生产的情况下，武汉新芯既要服务兆易创新，又要服务其他厂商。这使得兆易创新的产能受到限缩，无法进一步补上市场的缺货缺口，使得日前 NOR Flash 市场面临供不应求的情况。
不过，据了解，兆易创新当前的投片情况已经开始有所调整，也就是藉由在中芯与华力微上的增加投片，增加产能，来满足市场上的需求。消息人士指出，由于中芯目前的产能利用率较低，兆易创新自 6 月份开始就在中芯开始投片。而且数量从一开始的每月 2,000 片，提升到当前 8,000 片的数量，已经足成长了 4 倍数量，数量可观。此外，兆易创新跟华力微的合作方面，也已经正式开始投片。
大陆首座硅晶圆厂量产在即12寸硅晶圆99%依赖进口
新升半导体是大陆首座十二吋硅晶圆厂，由前中芯国际创办人张汝京网罗美、中、台、日、南韩及欧洲技术团队创设，虽然张汝京在今年六月辞去新升半导体总经理职务，但仍担任董事。
新升半导体成立于2014年六月，坐落于临港重装备区内，占地一五○亩，总投资约人民币六十八亿元，一期总投资约人民币廿三亿元。主力产品十二吋硅晶圆目前已进入第一期量产，虽然初期良率仍低，却担负大陆建立自主供应链，要解决十二吋晶圆长期依赖进口局面，建立关键材料自主供应。
大陆积极建立自主硅晶圆供应链，包括上海新升半导体决定在未来四年达到月产六十万片十二吋硅晶圆规模。
江丰电子16纳米节点已实现批量供货 半年净利润增长34.23%
宁波江丰电子材料股份有限公司（以下简称“江丰电子”）的超高纯金属溅射靶材产品已经应用于世界著名半导体厂商的最先端制造工艺，在16纳米技术节点实现批量供货，同时还满足了国内厂商28纳米技术节点的量产需求，江丰电子也已经成为国内最大的半导体芯片用高纯溅射靶材生产商，目前生产的钽靶主要用于超大规模集成电路领域。
8月20日，江丰电子发布2017上半年财报，财报显示，公司上半年实现营收2.50亿元，同比增长32.46%；归属于上市公司股东的净利润2058.40万元，同比增长34.23%。
居龙SEMI为中国半导体产业走国际化发展之路助力
居龙在演讲中表示：随着近年来中国半导体相关产业的高速发展，中国已经成为全球半导体产业最大的需求区，2016年达到44.2%，预计到2020年将达到45.8%。为此，今年以来各大市场咨询机构不断上调2017年全球导体收入增长率预测：
居龙指出，然而中国市场的产能严重不足，大约只能贡献5%的产能，这里还包括了外企在中国设立的生产厂，如三星在西安的生产基地。
居龙分析，半导体产业已经成为美第二大出口产品，仅次于飞机，实际控制产值超过2000亿美元，超过了电脑、电信等其他主要电子产品。从全球范围来看，美国贡献了48%的半导体产能，但其需求仅为13%。反观中国则是最大的和增长最快的市场。在全球半导体需求中，中国市场需求雄居全球第一的位置，2016年约44.2%，预计到2020年将增长至45.8%。
2017年全球整体IC市场规模年增16% 存储器车用IC成长幅度最高
据调研机构IC Insights最新公布预估，在33类IC产品中，2017年计有29类产品市场规模会出现年增，并且其中有10类产品市场规模年增幅度将会大于(等于)10%。仅显示器驱动芯片、4/8位元微控制器、SRAM，以及闸阵列(Gate Array)等4类产品规模会出现年减。
近5年全球DRAM市场规模每年成长幅度呈现强烈波动。2013与2014年DRAM规模分别年增32%与34%，居各当年各类IC产品规模年增幅度之首。2015与2016年DRAM规模分别年减3%与8%，在各当年IC产品年增率的排名中，也分别跌至第18与26名。然而，预估2017年DRAM又会以年增55%，再度排名第一。
017年市场规模年增幅度最高的IC产品是DRAM，达55%。IC Insights表示，由于2017年上半全球DRAM平均售价(ASP)强劲攀升，因此DRAM产品市场规模年增幅度会重新跃居各类IC产品之冠，并不意外。
在DRAM、汽车特用逻辑与模拟芯片、NAND Flash，以及工业∕其他特用逻辑芯片等市场规模大幅成长的推动下，预估2017年全球整体IC市场规模将会年增16%。
高通7纳米世代重回台积电怀抱 双方联手转进FinFET制程
高通技术授权事业工程技术副总Sudeepto Roy表示，与台积电近10年来的合作从65纳米开始，会一直走到FinFET制程世代。业界对此解读为高通在7纳米世代将重回台积电生产，在延续摩尔定律的艰钜道路上，台积电绝对是高通更值得信任的合作伙伴。
高通与三星的合作横跨两个半导体制程世代，从16纳米一路到10纳米制程，近期高通在7纳米制程重回台积电生产的传言甚嚣尘上，业界分为两派说法，一是高通手机应用处理器(AP)订单将采用台积电的7纳米制程生产，另一派说法则是高通将先释出基频(baseband)芯片给台积电的7纳米生产，但最关键的AP晶圆代工，高通仍在台积电与三星之间考虑。
高通和台积电近10年来的合作轨迹从2006年一起开发65纳米制程，2007年开发45纳米制程，延续到2010年合作28纳米制程，然随著半导体产业转进至FinFET制程世代之后，高通与台积电的技术合作表面上看似断了线，因为当年在关键的16/14纳米制程抉择点上，高通碍于众多考量，选择采用三星电子(Samsung Electronics)14纳米制程，而非台积电16纳米制程。
第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%，第三季价格续涨
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)，但在转换期间所带来的产能损失，已持续造成整体供需失衡，进而使合约价持续上扬，预计今年整年仍将处于供不应求的状态，预期要到2018年随着各原厂在64/72层3D-NAND制程成熟后，才能缓解目前缺货局面。
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨，2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。
抢当晶圆代工第二 三星华城18号线提前动工
数据显示，2016年三星晶圆代工营收为45.18亿美元，较2015年大增78.6%。
BusinessKorea、Korea Economic Daily、韩联社报导，三星晶圆代工共有三个厂区，S1厂在韩国器兴(Giheung)、S2厂在美国德州奥斯汀、S3在韩国华城(Hwaseong)。S3预定今年底启用，将生产7、8、10纳米制程晶圆。
韩媒BusinessKorea 19日报导，三星华城厂的18号线原定明年动工，如今三星决定提前至今年11月破土。18号线的建筑面积为40,536平方公尺(约1.2万坪)，总楼面面积为298,114平方公尺(约9万坪)。投资金额为6万亿韩元(54亿美元)，预定2019年下半完工，生产存储器以外的半导体产品。
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