中微自主研发的300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备可以用于加工64/45/28纳米氧化硅（SiO），氮化硅（SiN）及低介电系数（low K）膜层等不同电介质材料。
高生产率、高性能的小批量多反应器系统可以灵活地装置多达三个双反应台反应器，以达到最佳芯片加工输出量。每个反应器都可以实现单芯片或双芯片加工。该设备具有独特的专利创新技术，包括甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源，等离子隔离环及碳化硅喷淋头设计等。
系统特点及技术优势
去耦合反应离子刻蚀和稳定的射频系统设计，提供了对离子浓度和离子能量的分别控制，也达到了有效的关键尺度控制
独特的射频输入和对称分布可对刻蚀过程和芯片内刻蚀均匀度达到精密控制
具有自主知识产权的双重等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定和可靠，并使杂质微粒数降到最低
每个反应台独立的射频发生器，各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使得每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理，达到最佳结果。这是业界第一次在同一机台上实现单芯片或双芯片加工随意转换成为可能
双射频的下电极输入提供了稳定，可靠的等离子体浓度和离子能量， 从而使刻蚀过程稳定，可重复，并且使各反应台加工结果一致
拥有自主知识产权，具有快速，稳定，可靠的调谐能力自隔离射频匹配装置
反应室内壁选用高纯度，耐等离子体特殊材料。开发最佳的材料加工过程，大大降低损耗。将杂质微粒数降到最低
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