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    热丝CVD金刚石设备 高精度薄膜 性价比高

    应用于半导体行业:

    半导体加工设备-镀膜设备-其他

    产品品牌

    鹏城半导体

    库       存:

    999

    产       地:

    中国-广东省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:鹏城半导体

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-镀膜设备-其他

    鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体)研发设计制造了热丝CVD金刚石设备,分为实验型设备和生产型设备两类。

    设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。

    可用于生产制造环保领域污水处理用的耐*腐*蚀*金刚石导电电极。

    可用于平面工件的金刚石薄膜制备,也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。

     

    平面工作尺寸

    圆形平面工作的尺寸:φ650mm。

    矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定(如:工件长度1200mm)。

    配置冷水样品台。

     

    热丝电源功率

    可达300KW,1KW ~300KW可调(可根据用户工艺需求配置功率范围)

     

    设备安全性

    -电力系统的检测与保护

    -设置真空检测与报警保护功能

    -冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护

    -设置水压检测与报警保护装置

    -设置水流检测报警装置



     

    设备构成

    真空室构成

    双层水冷结构,立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门,真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。

     

    热丝

    热丝材料:钽丝、或钨丝

    热丝温度:1800℃~ 2500℃ 可调

     

    样品台

    可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ,由调速电机控制,可实现自动升降,(热丝与衬底间距在5 ~ 100mm范围内可调),要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。

     

    工作气路(CVD)

    工作气路根据用户工艺要求配置:

    下面气体配置是某一用户的配置案例。

    H2(5000sccm,浓度*100*%)

    CH4(200sccm,浓度*100*%)

    B2H6(50sccm,H2浓度99*%)

    Ar(1000sccm,浓度100%)

    真空获得及测量系统

    控制系统及软件

     

    实验型 热丝CVD金刚石设备

    单面热丝CVD金刚石设备

     

    双面热丝CVD金刚石设备

     

    生产型热丝CVD金刚石设备

     

    可制备金刚石面积-宽650*1200mm

    可制备金刚石φ 650mm

    关于我们

    鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术沿与市场沿的交叉点,寻求创新与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

    公司核心业务是微纳技术与精密制造,具体应用域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。

    公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

    公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先/进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。


     

    公司已投放市场的部分半导体设备

    |物理气相沉积(PVD)系列

    磁控溅射、电子束、热蒸发镀膜机,激光沉积设备PLD

    |化学气相沉积(CVD)系列

    MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD

    |超高真空系列

    分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)

    |成套设备

    团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备(G1、G2.5)

    |其他

    金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电制备设备

    |真空镀膜机用电源/真空镀膜机控制系统及软件

    直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源(中频可调脉宽)

    控制系统及软件

    团队部分业绩分布
    自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到8.0×10^-9Pa。

    设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至仍在正常使用。

    设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。

    设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。

    设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。

    设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先/进/材料实验室。

    设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

    设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。

    设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。

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