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    日本Advance Riko 电弧等离子体沉积系统APD

    产品品牌

    日本Advance

    库       存:

    1

    产       地:

    全国

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:日本Advance

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-刻蚀设备-其它刻蚀设备

     
    日本Advance Riko 电弧等离子体沉积系统APD
    详细介绍
    电弧等离子体沉积系统
     
        日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统(APD)利用脉冲电弧放电将电导材料离子化,产生高能离子并沉积在基底上,制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。
     
       电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量,可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径,活性好,产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛,可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳,纳米钻石,碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。
     
    主要应用领域: 
     
    1、制备新金属化合物,或制备氧化物和氮化物薄膜(氧气和氮气氛围);
    2、制备非晶碳,纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒;
    3、形成新的纳米颗粒催化剂(废气催化剂,挥发性有机化合物分解催化剂,光催化剂,燃料电池电极催化剂,制氢催化剂);
    4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。
     
     
    技术原理:
    1、在触发电极上加载高电压后,电容中的电荷充到阴极(靶材)上;
    2、真空中的阳极和阴极(靶材)间,电子形成了蠕缓放电,并产生放电回路,靶材被加热并形成等离子体;
    3、通过磁场控制等离子体照射到基底上,形成薄膜或纳米颗粒。
                
     
     材料适用性:

    APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属,合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体,且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料,绿色代表完全适用,黄色代表在一定条件下适用。

     
     
    设备特点:
     


    1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。

    2. 只要靶材是导电材料,系统就可以将其等离子体化。(电阻率小于0.01ohm.cm)。

    3. 改变系统的气氛氛围,可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。

    4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。

    5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。
     
    APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱


     系统参数:
     
    1. 真空腔尺寸:400x400X300长宽高
    2. 抽空系统:分子泵450L/s
    3. 电弧等离子体源:标配一个,最多3个
    4. 沉积气压:真空或者低气压气体(N2, H2,O2,Ar)
    5. 靶材:导电材料,外径10mm,长17mm
    6. 靶材电阻率:小于0.01欧姆厘米
    7. 电容:360uF  X5 (可选)
    8. 脉冲速度:1,2,3,4,5 Pulse/s
    9. 操作界面:触摸屏
    10. 放电电压:70V-400V (1800uF下最大150V)
     
    APD-P 粉末容器:直径95mm 高30mm
    形成粉末的速度:13-20cc (随颗粒尺寸和密度变化)
    旋转速度:1-50rpm
     
     
     
     
     
     设备对比:
     
     

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