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    德国Sentech SI 500 D 等离子沉积机

    产品品牌

    德国Sentech SI 500 D 等离子沉积机

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    全国

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    品牌:德国Sentech SI 500 D 等离子沉积机

    型号:

    所属系列:半导体加工设备-刻蚀设备-其它刻蚀设备

     

    Sentech SI 500 D 等离子沉积机:
    sentech等离子沉积机  SI 500 D_wps图片

    超高密度等离子体

    SI 500d具有特殊的等离子体特性,如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。

    平面等离子体源

    森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。

    杰出的沉积特性

    低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低,沉积温度小于100℃,使沉积薄膜具有优异的性能。

    动态温度控制

    采用动态温度控制的基片电极,结合He背面冷却和基片背面温度传感,在室温至+350℃的大范围温度范围内,提供优良的稳定工艺条件。

    SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-SiSiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源,反应气体分离气体入口,动态控温基片电极,全控真空系统,采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件,以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500d

    从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板,都可以在SI 500 d中进行加工。

    SI 500d等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2SiNxSiONxa- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOSSiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。s500d特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障,以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。

    森泰科提供不同的自动化水平,从真空盒式磁带加载到一个过程室,多达六个端口集群,具有不同的沉积和蚀刻模块,目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。

    SI 500 D

    ICPECVD等离子体沉积工具

    与真空loadlock

    高达200毫米晶圆

    衬底温度从RT350℃

    激光端点检测

    可选的衬底偏置

     

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